型番

2 Vishay MOSFET 分離式, タイプN, タイプPチャンネル, 8 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4564DY-T1-GE3 パッケージSOIC

RS品番:: 812-3230
メーカー型番:: SI4564DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

2 Vishay MOSFET 分離式, タイプN, タイプPチャンネル, 8 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4564DY-T1-GE3 パッケージSOIC

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10 - 140	￥205.30	￥2,053
150 - 1190	￥183.40	￥1,834
1200 - 1590	￥160.30	￥1,603
1600 - 1990	￥138.40	￥1,384
2000 +	￥115.30	￥1,153

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RS品番:: 812-3230
メーカー型番:: SI4564DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN, タイプP
	最大連続ドレイン電流Id	8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	SOIC
	シリーズ	TrenchFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	20mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	3.2W
	動作温度 Min	150°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	20.5nC
	動作温度 Max	-55°C
	トランジスタ構成	分離式
	規格 / 承認	No
	長さ	5mm
	高さ	1.55mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN, タイプP
	最大連続ドレイン電流Id 8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 SOIC
	シリーズ TrenchFET
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 20mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 3.2W
	動作温度 Min 150°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 20.5nC
	動作温度 Max -55°C
	トランジスタ構成分離式
	規格 / 承認 No
	長さ 5mm
	高さ 1.55mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

2 Vishay MOSFET 分離式, タイプN, タイプPチャンネル, 8 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4564DY-T1-GE3 パッケージSOIC

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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