2 Vishay MOSFET 分離式, タイプN, タイプPチャンネル, 8 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4564DY-T1-GE3 パッケージSOIC

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥1,742.00

(税抜)

￥1,916.20

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 32,950 は 2026年1月19日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
10 - 140￥174.20￥1,742
150 - 1190￥155.60￥1,556
1200 - 1590￥136.00￥1,360
1600 - 1990￥117.50￥1,175
2000 +￥97.80￥978

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
812-3230
メーカー型番:
SI4564DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN, タイプP

最大連続ドレイン電流Id

8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SOIC

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

20mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

150°C

最大許容損失Pd

3.2W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

20.5nC

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

-55°C

長さ

5mm

高さ

1.55mm

幅

4 mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


関連ページ