2 Vishay MOSFET 分離式, タイプN, タイプPチャンネル, 8 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4564DY-T1-GE3 パッケージSOIC

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梱包形態
RS品番:
812-3230
メーカー型番:
SI4564DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN, タイプP

最大連続ドレイン電流Id

8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

20mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

3.2W

動作温度 Min

150°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

20.5nC

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

分離式

規格 / 承認

No

長さ

5mm

高さ

1.55mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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