型番

2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 7.5 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4214DDY-T1-GE3 パッケージSOIC

RS品番:: 710-3327
メーカー型番:: SI4214DDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 7.5 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4214DDY-T1-GE3 パッケージSOIC

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥865.00

￥951.50

3,000円を超える注文については、送料無料

一時的に在庫切れ

2,460 は 2026年3月23日に入荷予定

「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個	単価	購入単位毎合計*
5 - 120	￥173.00	￥865
125 - 1195	￥154.20	￥771
1200 - 1595	￥135.80	￥679
1600 - 1995	￥117.00	￥585
2000 +	￥97.80	￥489

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:: 710-3327
メーカー型番:: SI4214DDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	7.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	パッケージ型式	SOIC
	シリーズ	TrenchFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	19.5mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	14.5nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	2W
	動作温度 Min	150°C
	動作温度 Max	-55°C
	トランジスタ構成	分離式
	幅	4 mm
	高さ	1.5mm
	長さ	5mm
	規格 / 承認	No
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 7.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	パッケージ型式 SOIC
	シリーズ TrenchFET
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 19.5mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 14.5nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 2W
	動作温度 Min 150°C
	動作温度 Max -55°C
	トランジスタ構成分離式
	幅 4 mm
	高さ 1.5mm
	長さ 5mm
	規格 / 承認 No
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 7.5 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4214DDY-T1-GE3 パッケージSOIC

3,000円を超える注文については、送料無料

デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ