2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 7.5 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4214DDY-T1-GE3 パッケージSOIC
- RS品番:
- 710-3327
- メーカー型番:
- SI4214DDY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 710-3327
- メーカー型番:
- SI4214DDY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 7.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 19.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 2W | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 5mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 7.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ TrenchFET | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 19.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 2W | ||
動作温度 Min 150°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 14.5nC | ||
動作温度 Max -55°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
高さ 1.5mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 5mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
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