Vishay Pチャンネル MOSFET30 V 9.9 A 表面実装 パッケージPowerPAK ChipFET 8 ピン
- RS品番:
- 165-6326
- メーカー型番:
- SI5419DU-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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単価： 購入単位は3000 個
￥38.145
(税抜)
￥41.959
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ￥38.145 | ￥114,435.00 |
| 15000 - 27000 | ￥37.006 | ￥111,018.00 |
| 30000 - 72000 | ￥35.032 | ￥105,096.00 |
| 75000 - 147000 | ￥34.045 | ￥102,135.00 |
| 150000 + | ￥33.058 | ￥99,174.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 165-6326
- メーカー型番:
- SI5419DU-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | P |
| 最大連続ドレイン電流 | 9.9 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 30 V |
| パッケージタイプ | PowerPAK ChipFET |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 33 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1.2V |
| 最大パワー消費 | 31 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 幅 | 1.98mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| 長さ | 3.08mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 0.85mm |
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