Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 11.6 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK ChipFET
- RS品番:
- 165-6328
- メーカー型番:
- SI5418DU-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ￥82.245 | ￥246,735 |
| 15000 - 27000 | ￥81.42 | ￥244,260 |
| 30000 - 72000 | ￥79.788 | ￥239,364 |
| 75000 - 147000 | ￥78.193 | ￥234,579 |
| 150000 + | ￥76.626 | ￥229,878 |
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- RS品番:
- 165-6328
- メーカー型番:
- SI5418DU-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 11.6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK ChipFET | |
| シリーズ | Si5418DU | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 18.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 31W | |
| 順方向電圧 Vf | 0.8V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 3.08mm | |
| 高さ | 0.85mm | |
| 幅 | 1.98 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 11.6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 PowerPAK ChipFET | ||
シリーズ Si5418DU | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 18.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 20nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 31W | ||
順方向電圧 Vf 0.8V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 3.08mm | ||
高さ 0.85mm | ||
幅 1.98 mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN