Vishay MOSFET, タイプP, タイプNチャンネル 20 V, 4 A, 表面, 8-Pin パッケージChipFET
- RS品番:
- 256-7372
- メーカー型番:
- SI5513CDC-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ¥36.785 | ¥110,355 |
| 15000 - 27000 | ¥36.655 | ¥109,965 |
| 30000 - 72000 | ¥36.537 | ¥109,611 |
| 75000 - 147000 | ¥36.418 | ¥109,254 |
| 150000 + | ¥36.288 | ¥108,864 |
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- RS品番:
- 256-7372
- メーカー型番:
- SI5513CDC-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプP, タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | ChipFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.4Ω | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプP, タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 ChipFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.4Ω | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay Semiconductor mosfetアレイN及びPチャンネル20 V 4 A、3.7 A 3.1 W表面実装1206-8チップFETは、IEC61249-2-21の定義に準拠したハロゲンフリーです。
TrenchFETパワーモスフェット
100 % Rgテスト済み
RoHS指令2002/95/ECに準拠
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