Vishay MOSFET, タイプP, タイプPチャンネル, シングル, 30 V, 35 A, 20 mΩ, 24.6 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 1212-8
- RS品番:
- 818-1384
- メーカー型番:
- SI7129DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 818-1384
- メーカー型番:
- SI7129DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP, タイプP | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 30 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 35 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 20 mΩ | |
| 標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs | 24.6 nC | |
| ピン数 | 8 | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 1212-8 | |
| 自動車規格 | なし | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 (Vf) | 1.2 V | |
| 高さ | 1.07 mm | |
| 長さ | 3.15 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | -20 V, +20 V | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 52.1 W | |
| 動作温度 (Min) | -50 °C | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| シリーズ | Si7129DN | |
| 規格 / 承認 | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| 幅 | 3.15 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP, タイプP | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 30 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 35 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 20 mΩ | ||
標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 24.6 nC | ||
ピン数 8 | ||
パッケージ型式 PowerPAK 1212-8 | ||
自動車規格 なし | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 (Vf) 1.2 V | ||
高さ 1.07 mm | ||
長さ 3.15 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) -20 V, +20 V | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 52.1 W | ||
動作温度 (Min) -50 °C | ||
取付タイプ 表面 | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
シリーズ Si7129DN | ||
規格 / 承認 IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
幅 3.15 mm | ||
- COO（原産国）:
- CN
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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