型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 8.5 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC

RS品番:: 919-4191
メーカー型番:: SI4850EY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 8.5 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC

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5000 - 22500	￥117.515	￥293,788
25000 - 35000	￥113.938	￥284,845
37500 - 47500	￥110.35	￥275,875
50000 +	￥106.774	￥266,935

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RS品番:: 919-4191
メーカー型番:: SI4850EY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	8.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	SOIC
	シリーズ	Si4850EY
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	47mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	18nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大許容損失Pd	3.3W
	動作温度 Max	150°C
	幅	4 mm
	高さ	1.5mm
	規格 / 承認	No
	長さ	5mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 8.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 SOIC
	シリーズ Si4850EY
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 47mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 18nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大許容損失Pd 3.3W
	動作温度 Max 150°C
	幅 4 mm
	高さ 1.5mm
	規格 / 承認 No
	長さ 5mm
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 8.5 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC

3,000円を超える注文については、送料無料

NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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