2 Vishay MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 8 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計：*

￥263,587.50

(税抜)

￥289,945.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年5月26日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2500 - 2500￥105.435￥263,588
5000 - 22500￥104.357￥260,893
25000 - 35000￥102.272￥255,680
37500 - 47500￥100.232￥250,580
50000 +￥98.228￥245,570

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
170-8297
メーカー型番:
SQ4920EY-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SOIC

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

17.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.75V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19.7nC

最大許容損失Pd

4.4W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

トランジスタ構成

分離式

幅

4 mm

高さ

1.5mm

規格 / 承認

No

長さ

5mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


関連ページ