STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル, 100 V, 110 A, 3.9 mΩ, 117 nC, 3ピン, パッケージ：H2PAK
- RS品番:
- 860-7523P
- メーカー型番:
- STH150N10F7-2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- RS品番:
- 860-7523P
- メーカー型番:
- STH150N10F7-2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 110A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | DeepGate, STripFET | |
| パッケージ型式 | H2PAK | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3.9mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 117nC | |
| 最大許容損失Pd | 250W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 4.8mm | |
| 長さ | 10.4mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 110A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ DeepGate, STripFET | ||
パッケージ型式 H2PAK | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.9mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 117nC | ||
最大許容損失Pd 250W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 4.8mm | ||
長さ 10.4mm | ||
自動車規格 なし | ||
NチャンネルSTripFET™ DeepGate™、STMicroelectronics
広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。