- RS品番:
- 178-7601
- メーカー型番:
- FDG6303N
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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単価: 購入単位は3000 個
¥18.982
(税抜)
¥20.88
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
---|---|---|
3000 - 12000 | ¥18.982 | ¥56,946.00 |
15000 - 27000 | ¥18.415 | ¥55,245.00 |
30000 - 72000 | ¥17.433 | ¥52,299.00 |
75000 - 147000 | ¥16.942 | ¥50,826.00 |
150000 + | ¥16.451 | ¥49,353.00 |
* 購入単位ごとの価格
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- 178-7601
- メーカー型番:
- FDG6303N
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- onsemi
その他
詳細情報
強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor
強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>( 250 V )<タイプと低電圧( 250 V )タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 500 mA |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 25 V |
パッケージタイプ | SOT-363 |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 6 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 770 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最低ゲートしきい値電圧 | 0.65V |
最大パワー消費 | 300 mW |
トランジスタ構成 | 絶縁型 |
最大ゲート-ソース間電圧 | +8 V |
幅 | 1.25mm |
1チップ当たりのエレメント数 | 2 |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 1.64 nC @ 5 V |
長さ | 2mm |
トランジスタ素材 | Si |
動作温度 Max | +150 °C |
動作温度 Min | -55 °C |
高さ | 1mm |
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