STMicroelectronics MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 10 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC
- RS品番:
- 876-5711P
- メーカー型番:
- STS10P4LLF6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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個 | 単価 |
|---|---|
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| 1200 - 1590 | ￥153.10 |
| 1600 - 1990 | ￥147.20 |
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- RS品番:
- 876-5711P
- メーカー型番:
- STS10P4LLF6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| シリーズ | STripFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 20mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 34nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 2.7W | |
| 順方向電圧 Vf | -1.1V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 5mm | |
| 幅 | 4 mm | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 10A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
シリーズ STripFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 20mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 34nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 2.7W | ||
順方向電圧 Vf -1.1V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 5mm | ||
幅 4 mm | ||
高さ 1.5mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
STMicroelectronics P チャンネル STripFET ™パワー MOSFET
幅広い耐圧範囲を持つSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷、低オン抵抗を実現しています。