Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 29 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, SiHF30N60E-GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥1,825.00

(税抜)

￥2,007.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 850 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
2 - 10￥912.50￥1,825
12 - 22￥863.00￥1,726
24 - 30￥814.50￥1,629
32 - 38￥765.00￥1,530
40 +￥716.00￥1,432

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
903-4490
メーカー型番:
SiHF30N60E-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

29A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

E

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

125mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

37W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

85nC

順方向電圧 Vf

1.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

幅

4.83 mm

規格 / 承認

No

長さ

10.63mm

高さ

16.12mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor


VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。

特長


低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg

低入力静電容量(Ciss)

低オン抵抗(RDS(on))

超低ゲート電荷(Qg)

高速スイッチング

スイッチング損失及び導電損失を低減

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


関連ページ