Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 14 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, SIHF074N65E-GE3
- RS品番:
- 279-9906
- メーカー型番:
- SIHF074N65E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- Vishay
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 14A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| シリーズ | SIHF | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.079Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 39W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 10.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 14A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
シリーズ SIHF | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.079Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 39W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 10.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay SIHFシリーズMOSFET、ドレインソース電圧650 V、連続ドレイン電流14 A - SIHF074N65E-GE3
このMOSFETは、産業用電子機器の電力変換と制御用に設計された高電圧スイッチングトランジスタです。スルーホールTO-220パッケージのNチャンネル強化デバイスとして動作し、堅牢な電圧処理と簡単な取り付けが必要な修理可能なアセンブリやプロトタイピングに実用的な選択肢を提供します。
特長：
• 650 Vのドレインソース定格により、高電圧スイッチング用途を実現 • 14 Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷処理をサポート • 0.079Ω Rds(on)により、負荷下での導通損失を低減 • 8 nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作を実現 • 30 Vの最大ゲートソース定格により、幅広いゲートドライブマージンを実現 • 39 Wの消費電力能力により、動作中の熱ストレスを管理
用途
• 高電圧スイッチング電源に最適 • 産業用モータドライブフロントエンドに最適 • コンバータの力率補正段階に使用 • インバータおよび溶接パワーエレクトロニクスに使用可能 • ラボのプロトタイピングやスルーホール修理に最適
運転中に耐えられる温度範囲は？
高温環境での最大ジャンクション温度-55°Cおよび最大150°Cまで動作するように設定されています。
取り付けピンの数と、どのようなパッケージを使用しますか?
プリント基板またはヒートシンクを簡単に取り付けるための3つのピンを備えたTO-220スルーホールパッケージで提供されます。
スイッチング損失に影響する一般的な動的特性は何ですか?
標準的なゲート充電は、定格ゲートドライブで8 nCで、スイッチングトランジションエネルギーとドライバサイズに影響を与えます。
自動車認定プロセスに適していますか?
自動車規格の部品として指定されていないため、自動車グレードの認証が必要な場所では使用しないでください。
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