STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 100 A, 5.6 mΩ, 12.6 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 906-4668P
- メーカー型番:
- STB100N6F7
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 906-4668P
- メーカー型番:
- STB100N6F7
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 100A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | STripFET F7 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5.6mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 125W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 12.6nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 10.4mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 4.6mm | |
| 幅 | 9.35mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 100A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ STripFET F7 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.6mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 125W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12.6nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 10.4mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 4.6mm | ||
幅 9.35mm | ||
自動車規格 なし | ||
NチャンネルSTripFET™ F7シリーズ、STMicroelectronics
STMicroelectronics STripFET™ F7シリーズの低電圧MOSFETは、デバイスオン状態の抵抗が低く、内部静電容量とゲート電荷を抑え、スイッチングが高速で効率よくなっています。