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ディスクリート・ディスクリート半導体
MOSFET・モスフェット
IXYS Nチャンネル MOSFET650 V 100 A スルーホール パッケージTO-264P 3 ピン
RS品番:
917-1423P
メーカー型番:
IXTK102N65X2
メーカー/ブランド名:
IXYS
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6 - 11
¥2,910.00
12 - 15
¥2,670.00
16 - 19
¥2,310.00
20 +
¥2,230.00
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個包装
プロダクションパッケージ(返品不可)
RS品番:
917-1423P
メーカー型番:
IXTK102N65X2
メーカー/ブランド名:
IXYS
データシート
その他
詳細情報
仕様
N-ch X2-Class Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1
RoHSステータス: 適合
NチャンネルパワーMOSFET、IXYS X2クラスシリーズ
IXYS X2クラスのパワーMOSFETシリーズでは、前世代のパワーMOSFETと比較すると、オン抵抗とゲート電荷量が大幅に低下しています。このため、損失量が低下し、操作効率が向上しています。 これらの頑丈なデバイスは真性ダイオードを搭載しているので、ハードスイッチングと共振モードの両方に適しています。 X2クラスのパワーMOSFETは、120 A @ 650 Vの定格電流を備えた、多様な業界標準パッケージに収納されており、絶縁タイプも用意されています。 代表的な用途には、DC-DCコンバータ、AC / DCモータドライブ、スイッチモード / 共振モード電源、DCチョッパ、ソーラーインバータ、温度 / 照明制御があります。
超低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
真性整流ダイオード
低真性ゲート抵抗
低パッケージインダクタンス
産業用の標準パッケージ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
特性
チャンネルタイプ
N
最大連続ドレイン電流
100 A
最大ドレイン-ソース間電圧
650 V
シリーズ
X2-Class
パッケージタイプ
TO-264P
実装タイプ
スルーホール
ピン数
3
最大ドレイン-ソース間抵抗
30 mΩ
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧
5V
最低ゲートしきい値電圧
3V
最大パワー消費
1.04 kW
トランジスタ構成
シングル
最大ゲート-ソース間電圧
-30 V, +30 V
動作温度 Max
+150 °C
長さ
20.3mm
幅
26.3mm
標準ゲートチャージ @ Vgs
152 nC @ 10 V
トランジスタ素材
Si
1チップ当たりのエレメント数
1
順方向ダイオード電圧
1.4V
高さ
5.3mm
動作温度 Min
-55 °C