Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 6.2 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8
- RS品番:
- 919-0830
- メーカー型番:
- SI7850DP-T1-E3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ￥129.096 | ￥387,288 |
| 6000 - 27000 | ￥127.233 | ￥381,699 |
| 30000 - 42000 | ￥124.062 | ￥372,186 |
| 45000 - 57000 | ￥120.891 | ￥362,673 |
| 60000 + | ￥117.73 | ￥353,190 |
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- RS品番:
- 919-0830
- メーカー型番:
- SI7850DP-T1-E3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6.2A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | Si7850DP | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 22mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 1.8W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 18nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.04mm | |
| 幅 | 5.89 mm | |
| 長さ | 4.9mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 6.2A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ Si7850DP | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 22mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 1.8W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 18nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.04mm | ||
幅 5.89 mm | ||
長さ 4.9mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN