Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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RS品番:
170-2264
メーカー型番:
SI4435DYTRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

Si4435DYPbF

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

35mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

-1.2V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

40nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

2.5W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

4 mm

高さ

1.5mm

長さ

5mm

自動車規格

なし

未対応

Infineon SI4435DY は、 30 V シングル P チャンネル HEXFET パワー MOSFET で、 SO-8 パッケージに収容されています。International Rectifier の P チャンネル HEXFET パワー MOSFET は、 Advanced Processing 技術を活かして、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。

Infineon SI4435DY は、 30 V シングル P チャンネル HEXFET パワー MOSFET で、 SO-8 パッケージに収容されています。International Rectifier の P チャンネル HEXFET パワー MOSFET は、 Advanced Processing 技術を活かして、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。

P チャンネル MOSFET

表面実装

テープ及びリールで提供

鉛フリー

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テープ及びリールで提供

鉛フリー

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