Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 6.2 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SI7850DP-T1-E3

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梱包形態
RS品番:
710-4764
メーカー型番:
SI7850DP-T1-E3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

6.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

Si7850DP

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

22mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

18nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

1.8W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

5.89 mm

高さ

1.04mm

長さ

4.9mm

自動車規格

なし

NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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