Vishay Pチャンネル MOSFET60 V 3.1 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
- RS品番:
- 919-4198
- メーカー型番:
- SI4948BEY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 2500 - 2500 | ￥90.942 | ￥227,355.00 |
| 5000 - 22500 | ￥88.227 | ￥220,567.50 |
| 25000 - 35000 | ￥83.522 | ￥208,805.00 |
| 37500 - 47500 | ￥81.169 | ￥202,922.50 |
| 50000 + | ￥78.816 | ￥197,040.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 919-4198
- メーカー型番:
- SI4948BEY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
- COO（原産国）:
- TW
詳細情報
デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | P |
| 最大連続ドレイン電流 | 3.1 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
| パッケージタイプ | SOIC |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 150 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1V |
| 最大パワー消費 | 2.4 W |
| トランジスタ構成 | 絶縁型 |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| 長さ | 5mm |
| 幅 | 4mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 高さ | 1.5mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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