2 Vishay MOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 3.1 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC
- RS品番:
- 919-4198
- メーカー型番:
- SI4948BEY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ￥81.166 | ￥202,915 |
| 5000 - 22500 | ￥80.894 | ￥202,235 |
| 25000 - 35000 | ￥80.623 | ￥201,558 |
| 37500 - 47500 | ￥80.351 | ￥200,878 |
| 50000 + | ￥80.078 | ￥200,195 |
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- RS品番:
- 919-4198
- メーカー型番:
- SI4948BEY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 3.1A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 150mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | -0.8V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 2.4W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 5mm | |
| 幅 | 4 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 3.1A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
シリーズ TrenchFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 150mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf -0.8V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 2.4W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 14.5nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 5mm | ||
幅 4 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.5mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- TW