2 Vishay MOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 8 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計:*

¥123,895.00

(税抜)

¥136,285.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 15,000 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
2500 - 10000¥49.558¥123,895
12500 - 22500¥48.784¥121,960
25000 - 60000¥48.631¥121,578
62500 - 122500¥48.479¥121,198
125000 +¥48.325¥120,813

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
165-6942
メーカー型番:
SI4554DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

最大連続ドレイン電流Id

8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

34mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

150°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

13.3nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

3.2W

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

-55°C

高さ

1.5mm

長さ

5mm

規格 / 承認

No

4 mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


関連ページ