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メモリチップ・不揮発性メモリ・揮発性メモリ
NVRAM・不揮発性メモリ
不揮発性メモリ(NVRAM) Infineon
RS品番:
194-9066
メーカー型番:
CY14B101NA-ZS25XI
メーカー/ブランド名:
Infineon
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RS品番:
194-9066
メーカー型番:
CY14B101NA-ZS25XI
メーカー/ブランド名:
Infineon
データシート
その他
詳細情報
仕様
Datasheet CY14B101NA-ZS25XI
RoHSステータス: 適合
COO(原産国):
PH
Cypress CY14B104LA / CY14B104NA は、高速スタティック RAM ( SRAM )で、各メモリセルに不揮発性エレメントを備えています。メモリは、 512 K バイトの 8 ビットごとに構成され、 256 K ワードの 16 ビットごとに構成されています。組み込みの不揮発性エレメントには、 QuantumTrap テクノロジーが組み込まれており、信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無制限の読み取り / 書き込みサイクルを提供し、独立した不揮発性データは信頼性の高い QuantumTrap セルに格納されます。SRAM から不揮発性エレメント( STORE 操作)へのデータ転送は、電源を切ると自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリから SRAM にデータが復元されます( RECALL 動作)。ソフトウェア制御では、 STORE 操作と RECALL 操作の両方を使用できます。
特性
メモリサイズ
1Mbit
構成
64 K x 16ビット
インターフェースタイプ
パラレル
データバス幅
16bit
最大ランダムアクセス時間
45ns
実装タイプ
表面実装
パッケージタイプ
TSOP
ピン数
44
寸法
18.51 x 10.26 x 1.04mm
長さ
18.51mm
幅
10.26mm
高さ
1.04mm
動作供給電圧 Max
3.6 V
動作温度 Max
+85 °C
1ワード当たりのビット数
16bit
動作供給電圧 Min
2.7 V
ワード数
64K
動作温度 Min
-40 °C
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