Infineon SRAM CY7C1021D-10VXI, 1 MB, 64 K x 16ビット, 10 ns, 44-Pin

このデバイスには、自動パワーダウン機能があり、選択解除時に電力消費を大幅に削減します。デバイスの選択を解除（ CE HIGH ）したとき、出力が無効（ OE HIGH ）になったとき、 BHE 及び BLE が無効（ BHE 、 BLE HIGH ）になったとき、又は書き込み動作（ CE LOW 及び WE LOW ）時に、入力ピンと出力ピン（ I/O0∼I/O15 ）が高インピーダンス状態になります。チップイネーブル（ CE ）入力と書き込みイネーブル（ WE ）入力を LOW にすることで、デバイスに書き込みます。 Byte Low Enable (BLE) が LOW の場合、 I/O ピン (I/O0∼I/O7) からのデータは、アドレスピン (A0 ～ A15) で指定された位置に書き込まれます。Byte High Enable (BHE) が LOW の場合、 I/O ピン (I/O8 ～ I/O15) からのデータは、アドレスピン (A0 ～ A15) で指定された位置に書き込まれます。チップイネーブル（ CE ）と出力イネーブル（ OE ）を LOW にして、書き込みイネーブル（ WE ）を HIGH にしてデバイスから読み取ります。 Byte Low Enable (BLE) が LOW の場合、アドレスピンで指定されたメモリ位置のデータが I/O0∼I/O7 に表示されます。

このデバイスは、自動電源停止機能を備えており、選択を解除すると消費電力を大幅に削減します。入力ピンと出力ピン(I/O0からI/O15まで)は、デバイスを選択しないとき(CE HIGH)、出力を無効にするとき(OE HIGH)、BHEおよびBLEを無効にするとき(BHE、BLE HIGH)、または書き込み操作中(CE LOWおよびWE LOW)に高インピーダンス状態に配置されます。チップイネーブル（CE）および書き込みイネーブル（WE）入力をLOWにすることで、デバイスに書き込みを行います。BLE (Byte Low Enable) が LOW である場合、I/O ピンからのデータ(I/O0 ～ I/O7)は、アドレスピンに指定された場所(A0 ～ A15)に書き込まれます。BHE (Byte High Enable) が LOW である場合、I/O ピンからのデータ(I/O8 ～ I/O15)は、アドレスピンに指定された場所(A0 ～ A15)に書き込まれます。チップイネーブル(CE)および出力イネーブル(OE)を低くして、書き込みイネーブル(WE)を高く強制することで、デバイスから読み取ります。BLE (Byte Low Enable) が LOW である場合、アドレスピンによって指定されたメモリの位置からのデータは I/O0 ～ I/O7 に表示されます。

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