Infineon, SRAM 1Mbit, 64 k x 16 ビット, 44-Pin CY7C1021D-10VXI

このデバイスには、自動パワーダウン機能があり、選択解除時に電力消費を大幅に削減します。デバイスの選択を解除（ CE HIGH ）したとき、出力が無効（ OE HIGH ）になったとき、 BHE 及び BLE が無効（ BHE 、 BLE HIGH ）になったとき、又は書き込み動作（ CE LOW 及び WE LOW ）時に、入力ピンと出力ピン（ I/O0∼I/O15 ）が高インピーダンス状態になります。チップイネーブル（ CE ）入力と書き込みイネーブル（ WE ）入力を LOW にすることで、デバイスに書き込みます。 Byte Low Enable (BLE) が LOW の場合、 I/O ピン (I/O0∼I/O7) からのデータは、アドレスピン (A0 ～ A15) で指定された位置に書き込まれます。Byte High Enable (BHE) が LOW の場合、 I/O ピン (I/O8 ～ I/O15) からのデータは、アドレスピン (A0 ～ A15) で指定された位置に書き込まれます。チップイネーブル（ CE ）と出力イネーブル（ OE ）を LOW にして、書き込みイネーブル（ WE ）を HIGH にしてデバイスから読み取ります。 Byte Low Enable (BLE) が LOW の場合、アドレスピンで指定されたメモリ位置のデータが I/O0∼I/O7 に表示されます。

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