ルネサス SRAM, 4 MB, 256 k x 16 Bit, 10 ns, 44-Pin
- RS品番:
- 217-3686
- メーカー型番:
- 71V416S10PHGI
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
取扱終了
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- RS品番:
- 217-3686
- メーカー型番:
- 71V416S10PHGI
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ルネサス エレクトロニクス | |
| プロダクトタイプ | SRAM | |
| メモリサイズ | 4MB | |
| ワード数 | 256K | |
| 1ワード当たりのビット数 | 16 | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 10ns | |
| アドレスバス幅 | 16bit | |
| タイミングタイプ | 非同期 | |
| 最小電源電圧 | 3V | |
| 最大電源電圧 | 3.6V | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| パッケージ型式 | TSOP | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 85°C | |
| ピン数 | 44 | |
| シリーズ | 71V416 | |
| 高さ | 1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 18.41mm | |
| 供給電流 | 200mA | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ルネサス エレクトロニクス | ||
プロダクトタイプ SRAM | ||
メモリサイズ 4MB | ||
ワード数 256K | ||
1ワード当たりのビット数 16 | ||
最大ランダムアクセス時間 10ns | ||
アドレスバス幅 16bit | ||
タイミングタイプ 非同期 | ||
最小電源電圧 3V | ||
最大電源電圧 3.6V | ||
取付タイプ 表面 | ||
パッケージ型式 TSOP | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 85°C | ||
ピン数 44 | ||
シリーズ 71V416 | ||
高さ 1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 18.41mm | ||
供給電流 200mA | ||
自動車規格 なし | ||
Renesas Electronics 71V416 シリーズ 3.3 V CMOS SRAM は、 256 K x 16 で構成されています。71V416 の双方向入出力はすべて LVTTL 互換で、単一の 3.3 V 電源で動作します。リードカウントは 44 、 TSOP パッケージタイプです。SRAM は I 温度グレードです。
JEDEC Center Power / GND ピン配列でノイズを低減
アクセス時間とサイクル時間の均等化 - 商用及び産業用： 10/12/15 ns
チップ選択 x 1 と出力イネーブルピン x 1
双方向のデータ入出力を直接実行
LVTTL 互換