ルネサス エレクトロニクス, SRAM, 4Mbit, 256 K x 16 ビット, 12ns, 44-Pin
- RS品番:
- 501-6836
- メーカー型番:
- R1RW0416DSB-2PR
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
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- RS品番:
- 501-6836
- メーカー型番:
- R1RW0416DSB-2PR
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ルネサス エレクトロニクス | |
| メモリサイズ | 4Mbit | |
| 構成 | 256 K x 16 ビット | |
| ワード数 | 256k | |
| 1ワード当たりのビット数 | 16bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 12ns | |
| アドレスバス幅 | 18bit | |
| ローパワー | あり | |
| タイミングタイプ | 非シンクロナス | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | TSOP | |
| ピン数 | 44 | |
| 寸法 | 18.41 x 10.16 x 1mm | |
| 動作供給電圧 Max | 3.6 V | |
| 高さ | 1mm | |
| 幅 | 10.16mm | |
| 動作供給電圧 Min | 3 V | |
| 動作温度 Min | 0 °C | |
| 動作温度 Max | +70 °C | |
| 長さ | 18.41mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ルネサス エレクトロニクス | ||
メモリサイズ 4Mbit | ||
構成 256 K x 16 ビット | ||
ワード数 256k | ||
1ワード当たりのビット数 16bit | ||
最大ランダムアクセス時間 12ns | ||
アドレスバス幅 18bit | ||
ローパワー あり | ||
タイミングタイプ 非シンクロナス | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ TSOP | ||
ピン数 44 | ||
寸法 18.41 x 10.16 x 1mm | ||
動作供給電圧 Max 3.6 V | ||
高さ 1mm | ||
幅 10.16mm | ||
動作供給電圧 Min 3 V | ||
動作温度 Min 0 °C | ||
動作温度 Max +70 °C | ||
長さ 18.41mm | ||
RoHSステータス: 対象外
- COO（原産国）:
- JP
ルネサスエレクトロニクス 高速 SRAM
SRAM (スタティックランダムアクセスメモリ)