ルネサス エレクトロニクス, SRAM, 1MB, 128 K x 8, 12ns
- RS品番:
- 263-7906P
- メーカー型番:
- 71024S12TYG
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
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- RS品番:
- 263-7906P
- メーカー型番:
- 71024S12TYG
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ルネサス エレクトロニクス | |
| メモリサイズ | 1MB | |
| 構成 | 128 K x 8 | |
| ワード数 | 128k | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 12ns | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ルネサス エレクトロニクス | ||
メモリサイズ 1MB | ||
構成 128 K x 8 | ||
ワード数 128k | ||
1ワード当たりのビット数 8bit | ||
最大ランダムアクセス時間 12ns | ||
- COO（原産国）:
- TW
ルネサスエレクトロニクスCMOS静的RAM 6は、64 K x 16として整理された高速静的RAMです。高性能で信頼性の高いCMOSテクノロジーを使用して製造されています。この最先端の技術は、革新的な回路設計技術と組み合わせて、高速メモリニーズに対するコスト効果の高いソリューションを提供します。RAMの双方向入力 / 出力はすべてTTL互換で、単一の5 V電源から動作します。完全静的な非同期回路を使用し、動作にクロックやリフレッシュが不要です。
1つのチップセレクト及び1つの出力イネーブルピン
双方向データ入力及び出力、TTLに直接対応
チップディセレクトによる低消費電力
上下バイトイネーブルピン
双方向データ入力及び出力、TTLに直接対応
チップディセレクトによる低消費電力
上下バイトイネーブルピン