型番

ルネサスエレクトロニクス, SRAM, 1Mbit, 128K x 8, 20ns

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ルネサスエレクトロニクス高速スタティックRAMは128Kx8で構成され、高性能・高信頼性のCMOS技術を用いて製造されています。この最先端技術と革新的な回路設計技術を組み合わせることで、高速メモリーのニーズに対応したコスト効率の高いソリューションを提供します。

チップデセレクトによる低消費電力
300ミル／400ミルのプラスチックSOJを用意
アクセス時間とサイクル時間の均等化

ルネサス エレクトロニクス, SRAM, 1Mbit, 128K x 8, 20ns