STマイクロ, サイリスタ, SCR, 12.7A, 600V, TN2010H-6G

このデバイスは、ジャンクション温度が最高 150 ° C のため、最大 20 ARMS の動作中に高い熱性能を発揮しますD² PAK パッケージにより、最新の SMD 設計とコンパクトなバックツーバック構成が可能になります。ノイズ耐性と低ゲートトリガ電流を組み合わせることで、強力でコンパクトな制御回路を設計できます。

高ジャンクション温度： Tj = 150 ° C
優れたノイズ耐性： dV/dt = 400 V/ μ s （ 150 ° C まで
ゲートトリガ電流 IGT = 10 mA
Peak オフステート電圧： VDRM /VRRM = 600 V
高オン電流立ち上がり: dI/dt = 100 A/μs

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。