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    IGBT

    IGBTは、絶縁ゲートバイポーラトランジスタとも呼ばれ、入力部がMOSFET構造、出力部がバイポーラー構造のトランジスタです。MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を両立させたような特性で、MOSFETと同様に高速スイッチングが可能、バイポーラデバイスの高耐圧・低オン抵抗という特長を持っています。

    動作原理

    IGBTとは、半導体に電圧を印加する3端子デバイスです。特性を変化させることにより、オフ状態時に電力をブロックし、オン状態時に電力を許可します。これは金属酸化物の半導体ゲート構造によって制御されます。

    種類

    IGBTにはさまざまなタイプがあり、最大電圧、 コレクタ電流、パッケージングタイプ、スイッチング速度などのパラメータによって分類されています。どの製品を選択するかは、正確な電力レベルや検討対象の用途によって異なります。

    用途

    P-N-P-Nの4層からなる半導体素子により構成されて、数kVまでの電力制御用途によく使われています。高耐圧・大電流に最適なトランジスタで、可変速駆動装置や電力変換器に用いられます。また、冷蔵庫、IH炊飯器などの民生機器から、UPSなどの産業用機器まで、さまざまな用途に使用されています。

    IGBTモジュール

    IGBTモジュールは、絶縁ゲートバイポーラトランジスタを中心に還流用ダイオードなどの素子単体(ディスクリート)と、駆動回路、保護回路などが統合された製品です。搭載されたパワーデバイスに合わせて駆動条件や保護機能が最適化されています。

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