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IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)

IGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)は、主に電気を流したり止めたりするためのスイッチングデバイスとして利用される半導体です。最も一般的な2つのトランジスタ (バイポーラトランジスタとMOSFET)を併せたようなもので、多くの利点があります。

IGBTトランジスタの動作

IGBTトランジスタは、半導体に電圧を印加する3端子デバイスです。 特性を変化させることにより、オフ状態時に電力潮流をブロックし、オン状態時に電力潮流を許可します。これは金属酸化物の半導体ゲート構造によって制御されます。IGBTトランジスタは、電力を切り替える用途で幅広く使用されています。たとえば、溶接、 電気自動車、 エアコン、 電車、無停電電源装置などが該当します。

IGBTトランジスタの種類

IGBTトランジスタにはさまざまなタイプがあり、最大電圧、 コレクタ電流、 パッケージングタイプ、スイッチング速度などのパラメータによって分類されています。どのIGBTトランジスタを選択するかは、正確な電力レベルや 検討対象の用途によって異なります。

MOSFETとIGBTの違い

IGBTは、阻止電圧定格の高い機器に使用される従来のMOSFETと比べて、順方向電圧降下がはるかに低くなっています。ただし、 MOSFETは、低い電流密度での低い順方向電圧を特徴としています。IGBTの出力BJTには、ダイオードVfがないためです。

IGBTモジュール(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)は、1つ又は複数のIGBTで構成されており、その信頼性からさまざまな産業機器で使用されています。IGBTトランジスタは、バイポーラジャンクショントランジスタ(BJT)とMOSFETを併せたデバイスです。高効率で高速なスイッチングに加え、高電流と低飽和電圧の特性を備えています。

IGBTの主な用途

  • 電動モータ
  • 無停電電源装置
  • ソーラーパネル設備
  • 溶接機
  • 電源コンバータ / インバータ
  • 誘導型充電器
  • 誘導型調理器

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