onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 表面実装, FDC8601

この N チャンネル MOSFET は、 rDS （ on ）、スイッチング性能、及び耐久性に最適化された Advanced Power Trench ® プロセスを使用して生産されています。

最大 rDS （ on ） = 109 m Ω @ VGS = 10 V 、 ID = 2.7 A
最大 rDS （ on ） = 176 m Ω @ VGS = 6 V 、 ID = 2.1 A
超低 rDS （ on ）向けの高性能トレンチテクノロジー
幅広く使用されている表面実装パッケージに高出力及び高電流処理能力
高速スイッチング速度
用途
この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。