onsemi 抵抗内蔵トランジスタ TSOT-23 Nチャンネル, 6-Pin, 表面
- RS品番:
- 186-7149
- メーカー型番:
- FDC8601
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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| 30000 - 42000 | ￥90.64 | ￥271,920 |
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- RS品番:
- 186-7149
- メーカー型番:
- FDC8601
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | 抵抗内蔵トランジスタ | |
| パッケージ型式 | TSOT-23 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大許容損失Pd | 1.6W | |
| トランジスタ極性 | Nチャンネル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| ピン数 | 6 | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 長さ | 3mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ 抵抗内蔵トランジスタ | ||
パッケージ型式 TSOT-23 | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大許容損失Pd 1.6W | ||
トランジスタ極性 Nチャンネル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
ピン数 6 | ||
高さ 1.1mm | ||
長さ 3mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
この N チャンネル MOSFET は、 rDS （ on ）、スイッチング性能、及び耐久性に最適化された Advanced Power Trench ® プロセスを使用して生産されています。
最大 rDS （ on ） = 109 m Ω @ VGS = 10 V 、 ID = 2.7 A
最大 rDS （ on ） = 176 m Ω @ VGS = 6 V 、 ID = 2.1 A
超低 rDS （ on ）向けの高性能トレンチテクノロジー
幅広く使用されている表面実装パッケージに高出力及び高電流処理能力
高速スイッチング速度
用途
この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。