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バイポーラトランジスタ
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 表面実装, FDC365P
RS品番:
186-9004
メーカー型番:
FDC365P
メーカー/ブランド名:
onsemi
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梱包形態
個包装
プロダクションパッケージ(返品不可)
RS品番:
186-9004
メーカー型番:
FDC365P
メーカー/ブランド名:
onsemi
データシート
その他
詳細情報
仕様
Datasheet FDC365P
RoHSステータス: 適合
この P チャンネル MOSFET は、独自の PowerTrench ® 技術を使用して、低 rDS ( on )と最適化された BVdss 性能を発揮し、用途で優れた性能を発揮します。
最大 rDS ( on ) = 55 m Ω @ VGS = 10 V 、 ID = -4.2 A
最大 rDS ( on ) = 80 m Ω @ VGS = -4.5 V 、 ID = -3.2 A
用途
この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。
特性
パッケージタイプ
TSOT-23
実装タイプ
表面実装
最大パワー消費
1.6 W
ピン数
6
1チップ当たりのエレメント数
1
寸法
3 x 1.7 x 1mm
動作温度 Max
+150 °C
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