onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 表面実装, FDC5661N-F085

N チャンネル PowerTrench ® MOSFET 、ロジックレベル、 60 V 、 4 A 、 60 m Ω

RDS （ ON ） = 47 mO @ VGS = 10 V 、 ID = 4.3 A
RDS （ ON ） = 60 mO @ VGS = 4.5 V 、 ID = 4 A
標準 Qg （ TOT ） = 14.5 nC @ VGS =10 V
低 Miller 電荷量
用途
インフォテイメント
ポータブルナビゲーション
インフォテイメント
その他
パワートレイン
安全性と制御
快適性と利便性
ボディ電子機器
車両セキュリティシステム
その他の自動車

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