この P チャンネル MOSFET は、 Advanced PowerTrench ® プロセスを使用して生産され、 rDS （ on ）、スイッチング性能、及び耐久性に最適化されています。
最大 rDS （ on ） = 183 m Ω @ VGS = -10 V 、 ID = -2.1 A 最大 rDS （ on ） = 247 m Ω @ VGS = -4.5 V 、 ID = -1.9 A 超低 rDS （ on ）向けの高性能トレンチテクノロジー 幅広く使用されている表面実装パッケージに高出力及び高電流処理能力 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。 負荷スイッチ 同期整流器
