onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 表面実装, FDG328P

この P チャンネル 2.5 V 指定 MOSFET は、 Advanced PowerTrench プロセスの堅牢なゲートタイプで生産されています。さまざまなゲート駆動電圧（ 2.5 → 12 V ）に対応する電源管理用途向けに最適化されています。

-1.5 A 、 -20 V
RDS （ ON ） = 0.145 Ω @ VGS = -4.5 V
RDS （ ON ） = 0.210 Ω @ VGS = -2.5 V
低ゲート電荷量
超低 RDS （ ON ）に対応する高性能トレンチ技術
コンパクトな業界標準 SC70-6 表面実装パッケージ
用途
この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。