onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, SOIC, 表面実装

このデュアル N / P チャンネル拡張モード電界効果トランジスタは、 Advanced PowerTrench プロセスを使用して生産されており、特にオン状態抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するようにカスタマイズされています。これらのデバイスは、低インライン電力損失及び高速スイッチングが必要な低電圧用途やバッテリ駆動用途に最適です。

Q1 ： N チャネル
7.0 A 、 30 V
RDS （ ON ） = 28 m Ω @ VGS = 10 V
RDS （ ON ） = 40 m Ω @ VGS = 4.5 V
Q2 ： P チャネル
-5 A 、 -30 V
RDS （ ON ） = 52 m Ω @ VGS = -10 V
RDS （ ON ） = 80 m Ω @ VGS = -4.5 V
高速スイッチング速度
幅広く使用されている表面実装パッケージに高出力及び高処理能力
用途
この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。