ボリュームディスカウント対象商品
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | ￥509.00 | ￥2,545 |
| 125 - 1195 | ￥444.80 | ￥2,224 |
| 1200 - 1595 | ￥382.00 | ￥1,910 |
| 1600 - 1995 | ￥318.20 | ￥1,591 |
| 2000 + | ￥255.20 | ￥1,276 |
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- RS品番:
- 186-8035
- メーカー型番:
- FGD3245G2-F085
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 450 V （破壊 | |
| パッケージタイプ | DPAK | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| 最大パワー消費 | 150 W | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| ピン数 | 2 + Tab | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 寸法 | 6.73 x 6.22 x 2.26mm | |
| ベースエミッタ抵抗器 | 30kΩ | |
| 動作温度 Max | +175 °C | |
| 標準入力抵抗 | 120 Ω | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 450 V （破壊 | ||
パッケージタイプ DPAK | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
最大パワー消費 150 W | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
ピン数 2 + Tab | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
寸法 6.73 x 6.22 x 2.26mm | ||
ベースエミッタ抵抗器 30kΩ | ||
動作温度 Max +175 °C | ||
標準入力抵抗 120 Ω | ||
- COO（原産国）:
- PH
FGB324-5G2_F085 と FGD324-5G2 は、 Fairchild の EcoSPARK ® 2 技術で設計された N チャンネル IGBT で、外部保護回路を不要にします。この技術は、過酷な車載イグニッションシステム環境で Coil を駆動するよう最適化されており、高い動作温度でも優れた VSAT 及び SCIS Energy 機能を発揮します。ロジックレベルゲート入力は ESD 保護されており、ゲート抵抗を内蔵しています。統合されたツェナー回路が、 IGBT のコレクタからエミッタまでの電圧を 450 V に固定します。これにより、高いスパーク電圧を必要とするシステムを実現できます。
SCIS Energy = 320 mJ @ TJ = 25 ° C
ロジックレベルゲートドライブ
低飽和電圧
ロジックレベルゲートドライブ
低飽和電圧
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