onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 表面実装, FGD3245G2-F085

FGB324-5G2_F085 と FGD324-5G2 は、 Fairchild の EcoSPARK ® 2 技術で設計された N チャンネル IGBT で、外部保護回路を不要にします。この技術は、過酷な車載イグニッションシステム環境で Coil を駆動するよう最適化されており、高い動作温度でも優れた VSAT 及び SCIS Energy 機能を発揮します。ロジックレベルゲート入力は ESD 保護されており、ゲート抵抗を内蔵しています。統合されたツェナー回路が、 IGBT のコレクタからエミッタまでの電圧を 450 V に固定します。これにより、高いスパーク電圧を必要とするシステムを実現できます。

SCIS Energy = 320 mJ @ TJ = 25 ° C
ロジックレベルゲートドライブ
低飽和電圧

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