onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 表面実装, FDC365P

この P チャンネル MOSFET は、独自の PowerTrench ® 技術を使用して、低 rDS （ on ）と最適化された BVdss 性能を発揮し、用途で優れた性能を発揮します。

最大 rDS （ on ） = 55 m Ω @ VGS = 10 V 、 ID = -4.2 A
最大 rDS （ on ） = 80 m Ω @ VGS = -4.5 V 、 ID = -3.2 A
用途
この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。