onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 表面実装, FDB38N30U

UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。UniFET Ultra FRFETTM MOSFET は、極めて優れたボディダイオード逆回復性能を備えています。trr は 50 ns 未満で、逆方向 dv/dt 耐性は 20 V/s です。一方、通常の平面 MOSFET はそれぞれ 200 ns 以上、 4.5 V/nsec です。したがって、 UniFET Ultra FRFET MOSFET は、 MOSFET のボディダイオードの性能向上を必要とする特定のアプリケーションにおいて、追加コンポーネントを排除し、システムの信頼性を向上させることができます。このデバイスファミリは、力率補正（ PFC ）、フラットパネルディスプレイ（ FPD ） TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。

RDS （ on ） = 120 m Ω （最大） @ VGS = 10 V 、 ID = 19 A
低ゲート電荷量（標準） 56 nC ）
低 CRSs （標準） 55 pF ）
用途
この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

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