Infineon フラッシュメモリ, NOR, 64 MB, SPI, 8ピン, SOIC
- RS品番:
- 181-8338P
- メーカー型番:
- S25FL064LABMFI011
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- 181-8338P
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- S25FL064LABMFI011
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- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | フラッシュメモリ | |
| メモリサイズ | 64MB | |
| インタフェースタイプ | SPI | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| ピン数 | 8 | |
| 構成 | 8 M x 8ビット | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| セルタイプ | NOR | |
| 最大電源電圧 | 3.6V | |
| 最小電源電圧 | 2.7V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 85°C | |
| 幅 | 5.28mm | |
| 高さ | 1.9mm | |
| 長さ | 5.28mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8 | |
| シリーズ | S25FL064L | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| ワード数 | 8K | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ フラッシュメモリ | ||
メモリサイズ 64MB | ||
インタフェースタイプ SPI | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
ピン数 8 | ||
構成 8 M x 8ビット | ||
取付タイプ 表面 | ||
セルタイプ NOR | ||
最大電源電圧 3.6V | ||
最小電源電圧 2.7V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 85°C | ||
幅 5.28mm | ||
高さ 1.9mm | ||
長さ 5.28mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
1ワード当たりのビット数 8 | ||
シリーズ S25FL064L | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
ワード数 8K | ||
Infineon S25FL064Lシリーズフラッシュメモリ、メモリ容量 64MB、SPIインターフェースタイプ - S25FL064LABMFI011
このフラッシュメモリは、組み込みシステム向けの不揮発性シリアルストレージを提供し、コンパクトな表面実装SPIメモリが必要な用途向けに設計されています。標準的な車載用温度範囲で動作し、8Mx8ビット構成のNOR型ストレージを必要とするシステムに適しています。64MBの容量を備え、RoHS要件にも適合しています。
特長:
• SPIインターフェースは、一般的なバス速度でのシリアル通信をサポート
• 動作電圧範囲 2.7~3.6Vにより、3.3Vシステムとの互換性を実現
• AEC‐Q100 認証により、車載グレードの実装が可能
• 8ピンSOIC表面パッケージにより、コンパクトな基板フットプリントを実現
• NORセルアーキテクチャにより、コード実行のランダムリード効率を実現
• -40~85°Cの動作温度により、環境耐性を向上
• 動作電圧範囲 2.7~3.6Vにより、3.3Vシステムとの互換性を実現
• AEC‐Q100 認証により、車載グレードの実装が可能
• 8ピンSOIC表面パッケージにより、コンパクトな基板フットプリントを実現
• NORセルアーキテクチャにより、コード実行のランダムリード効率を実現
• -40~85°Cの動作温度により、環境耐性を向上
用途
• コードストレージを必要とする車載制御ユニットに最適
• 電子モジュールのファームウェアおよびブートローダーのストレージに最適
• XIP対応のシリアルNORメモリを必要とするマイコンに使用
• 温度変化のある環境でのデータロギングモジュールに使用可能
• 電子モジュールのファームウェアおよびブートローダーのストレージに最適
• XIP対応のシリアルNORメモリを必要とするマイコンに使用
• 温度変化のある環境でのデータロギングモジュールに使用可能
どのようなメモリ構成とワード構造を採用していますか?
メモリは8Mx8ビットの構成で、8ビットx8Kワードのメモリ領域を備え、容易なアドレス指定とデータ管理が可能です。
プリント基板設計におけるパッケージとピンの特性は?
最大高さ1.9mmの8ピンSOIC表面実装パッケージで提供され、標準ランドパターンおよび自動実装に適しています。
電源範囲はシステム設計にどのように影響しますか?
このデバイスは、2.7V~3.6Vの電源電圧に対応し、3.3Vロジックとの互換性を確保し、電源電圧の変動に対する許容範囲を備えています。
どのようなセル技術が使用され、読み取りに関する意味は何ですか?
このメモリは、高速ランダム読み出しに適したNORセルを使用し、デバイスから直接コード実行に適しています。
