Winbond フラッシュメモリ SLC NAND, 1 GB, パラレル, 63-Pin, W29N01HVBINF VFBGA

RS品番:: 188-2794
メーカー型番:: W29N01HVBINF
メーカー/ブランド名:: Winbond

Winbond フラッシュメモリ SLC NAND, 1 GB, パラレル, 63-Pin, W29N01HVBINF VFBGA

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10 - 95	￥735.20	￥3,676
100 - 130	￥708.00	￥3,540
135 - 170	￥681.20	￥3,406
175 +	￥654.60	￥3,273

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RS品番:: 188-2794
メーカー型番:: W29N01HVBINF
メーカー/ブランド名:: Winbond

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Winbond
	プロダクトタイプ	フラッシュメモリ
	メモリサイズ	1GB
	インタフェースタイプ	パラレル
	パッケージ型式	VFBGA
	ピン数	63
	構成	128M x 8 Bit
	取付タイプ	表面
	セルタイプ	SLC NAND
	最大電源電圧	3.6V
	最小電源電圧	2.7V
	動作温度 Min	-40°C
	動作温度 Max	85°C
	高さ	0.6mm
	長さ	11.1mm
	規格 / 承認	No
	幅	11.1 mm
	シリーズ	W29N01HV
	自動車規格	なし
	ワード数	128M
	1ワード当たりのビット数	8
	供給電流	35mA
	最大ランダムアクセス時間	25μs

	すべて選択
	ブランド Winbond
	プロダクトタイプフラッシュメモリ
	メモリサイズ 1GB
	インタフェースタイプパラレル
	パッケージ型式 VFBGA
	ピン数 63
	構成 128M x 8 Bit
	取付タイプ表面
	セルタイプ SLC NAND
	最大電源電圧 3.6V
	最小電源電圧 2.7V
	動作温度 Min -40°C
	動作温度 Max 85°C
	高さ 0.6mm
	長さ 11.1mm
	規格 / 承認 No
	幅 11.1 mm
	シリーズ W29N01HV
	自動車規格なし
	ワード数 128M
	1ワード当たりのビット数 8
	供給電流 35mA
	最大ランダムアクセス時間 25μs

密度：1Gビット（シングルチップ・ソリューション）

Vcc : 2.7V～3.6V

バス幅：x8

動作温度

産業用: -40°C～85°C

シングルレベルセル（SLC）技術。

組織

密度：1Gビット/128Mバイト

ページサイズ

2112バイト（2048＋64バイト）

ブロックサイズ

64ページ（128K＋4Kバイト）

最高のパフォーマンス

読み取り性能（最大）

ランダムリード：25秒

シーケンシャル・リード・サイクル：25ns

書き込み消去性能

ページプログラム時間：250us(typ.)

ブロック消去時間：2ms(typ.)

耐久性 100,000消去/プログラムサイクル(1)

10年間のデータ保持

コマンドセット

標準NANDコマンドセット

追加コマンドのサポート

コピーバック

最小消費電力

読み出し：25mA(typ.3V)、

プログラム/消去：25mA(typ.3V)、

CMOSスタンバイ：10uA(typ.)

スペース効率の良いパッケージング

48ピン標準TSOP1

48ボールVFBGA

63ボールVFBGA

均一な2KB+64Bページサイズの1Gb SLC NANDフラッシュメモリ。