Winbond フラッシュメモリ SLC NAND, 1 GB, パラレル, 63-Pin, W29N01HVBINF VFBGA

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梱包形態
RS品番:
188-2794
メーカー型番:
W29N01HVBINF
メーカー/ブランド名:
Winbond
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ブランド

Winbond

プロダクトタイプ

フラッシュメモリ

メモリサイズ

1GB

インタフェースタイプ

パラレル

パッケージ型式

VFBGA

ピン数

63

取付タイプ

表面

セルタイプ

SLC NAND

最小電源電圧

2.7V

最大電源電圧

3.6V

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

85°C

規格 / 承認

No

長さ

11.1mm

高さ

0.6mm

ワード数

128M

自動車規格

なし

供給電流

35mA

最大ランダムアクセス時間

25μs

シリーズ

W29N01HV

1ワード当たりのビット数

8

密度：1Gビット（シングルチップ・ソリューション）

Vcc : 2.7V～3.6V

バス幅：x8

動作温度

産業用: -40°C～85°C

シングルレベルセル（SLC）技術。

組織

密度：1Gビット/128Mバイト

ページサイズ

2112バイト（2048＋64バイト）

ブロックサイズ

64ページ（128K＋4Kバイト）

最高のパフォーマンス

読み取り性能（最大）

ランダムリード：25秒

シーケンシャル・リード・サイクル：25ns

書き込み消去性能

ページプログラム時間：250us(typ.)

ブロック消去時間：2ms(typ.)

耐久性 100,000消去/プログラムサイクル(1)

10年間のデータ保持

コマンドセット

標準NANDコマンドセット

追加コマンドのサポート

コピーバック

最小消費電力

読み出し：25mA(typ.3V)、

プログラム/消去：25mA(typ.3V)、

CMOSスタンバイ：10uA(typ.)

スペース効率の良いパッケージング

48ピン標準TSOP1

48ボールVFBGA

63ボールVFBGA

均一な2KB+64Bページサイズの1Gb SLC NANDフラッシュメモリ。

バス幅：x8

ランダムリード：25秒

ページプログラム時間：250us(typ.)

ブロック消去時間：2ms(typ.)

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