Winbond フラッシュメモリ SLC NAND, 1 GB, パラレル, 63-Pin, W29N01HVBINF VFBGA

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梱包形態
RS品番:
188-2794
メーカー型番:
W29N01HVBINF
メーカー/ブランド名:
Winbond
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ブランド

Winbond

プロダクトタイプ

フラッシュメモリ

メモリサイズ

1GB

インタフェースタイプ

パラレル

パッケージ型式

VFBGA

ピン数

63

取付タイプ

表面

セルタイプ

SLC NAND

最大電源電圧

3.6V

最小電源電圧

2.7V

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

85°C

高さ

0.6mm

長さ

11.1mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

最大ランダムアクセス時間

25μs

ワード数

128M

供給電流

35mA

1ワード当たりのビット数

8

シリーズ

W29N01HV

密度:1Gビット(シングルチップ・ソリューション)

Vcc : 2.7V~3.6V

バス幅:x8

動作温度

産業用: -40°C~85°C

シングルレベルセル(SLC)技術。

組織

密度:1Gビット/128Mバイト

ページサイズ

2112バイト(2048+64バイト)

ブロックサイズ

64ページ(128K+4Kバイト)

最高のパフォーマンス

読み取り性能(最大)

ランダムリード:25秒

シーケンシャル・リード・サイクル:25ns

書き込み消去性能

ページプログラム時間:250us(typ.)

ブロック消去時間:2ms(typ.)

耐久性 100,000消去/プログラムサイクル(1)

10年間のデータ保持

コマンドセット

標準NANDコマンドセット

追加コマンドのサポート

コピーバック

最小消費電力

読み出し:25mA(typ.3V)、

プログラム/消去:25mA(typ.3V)、

CMOSスタンバイ:10uA(typ.)

スペース効率の良いパッケージング

48ピン標準TSOP1

48ボールVFBGA

63ボールVFBGA

均一な2KB+64Bページサイズの1Gb SLC NANDフラッシュメモリ。

バス幅:x8

ランダムリード:25秒

ページプログラム時間:250us(typ.)

ブロック消去時間:2ms(typ.)

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