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メモリチップ・不揮発性メモリ・揮発性メモリ
フラッシュメモリ・NAND型・NOR型
Winbond, フラッシュメモリ 2Gbit パラレル, 63-Pin, W29N02GZBIBA
RS品番:
188-2874P
メーカー型番:
W29N02GZBIBA
メーカー/ブランド名:
Winbond
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100 - 118
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120 - 158
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個包装
プロダクションパッケージ(返品不可)
RS品番:
188-2874P
メーカー型番:
W29N02GZBIBA
メーカー/ブランド名:
Winbond
データシート
その他
詳細情報
仕様
Datasheet W29N02GZBIBA
RoHSステータス: 適合
COO(原産国):
TW
Density : 2Gbit (Single chip solution)
Vcc : 1.7V to 1.95V
Bus width : x8 x16
Operating temperature
Industrial: -40°C to 85°C
Industrial Plus: -40°C to 105°C
Single-Level Cell (SLC) technology.
Organization
Density: 2G-bit/256M-byte
Page size
2,112 bytes (2048 + 64 bytes)
1,056 words (1024 + 32 words)
Block size
64 pages (128K + 4K bytes)
64 pages (64K + 2K words)
Highest Performance
Read performance (Max.)
Random read: 25us
Sequential read cycle: 25ns
Write Erase performance
Page program time: 250us(typ.)
Block erase time: 2ms(typ.)
Endurance 100,000 Erase/Program Cycles(1)
10-years data retention
Command set
Standard NAND command
Additional command support
Copy Back
Two-plane operation
Contact Winbond for OTP f
Contact Winbond for Block
Lowest power consumption
Read: 13mA(typ.)
Program/Erase: 10mA(typ.)
CMOS standby: 10uA(typ.)
Space Efficient Packaging
48-pin standard TSOP1
63-ball VFBGA
2Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size.
Bus Width: x8
Random Read: 25us
Page Program Time: 250us(typ.)
Block Erase Time: 2ms(typ.)
Support OTP Memory Area
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
特性
メモリサイズ
2Gbit
インターフェースタイプ
パラレル
パッケージタイプ
VFBGA
ピン数
63
構成
256M x 8 bit
実装タイプ
表面実装
セルタイプ
SLC NAND
動作供給電圧 Min
1.7 V
動作供給電圧 Max
1.95 V
長さ
11.1mm
高さ
0.6mm
幅
9.1mm
寸法
11.1 x 9.1 x 0.6mm
シリーズ
W29N
ワード数
256M
1ワード当たりのビット数
8bit
動作温度 Min
-40 °C
最大ランダムアクセス時間
25µs
動作温度 Max
+85 °C