Infineon FRAMメモリ, 4kbit, SOIC, シリアル-SPI, FM25L04B-G

Infineon FRAMは、高度な強誘電体工程を採用した4 Kビットの非揮発性メモリです。Infineon超強誘電体RAMは不揮発性で、RAMと同様の読み取り / 書き込み操作を実行します。151年間の信頼性の高いデータ保持を実現し、シリアルフラッシュ、EEPROM、その他の不揮発性メモリによる複雑さ、オーバーヘッド、システムレベルの信頼性問題を排除します。シリアルフラッシュやEEPROMとは異なり、バス速度で書き込み操作を実行します。書き込み遅延は発生しません。データは、各バイトがデバイスに転送された直後にメモリ配列に書き込まれます。次のバスサイクルは、データポーリングなしで開始することができます。さらに、この製品は、他の非揮発性メモリと比較して大きな書き込み耐久性を備えています。

RoHS準拠
低消費電力
非常に高速なシリアル周辺機器インターフェイス
洗練された書き込み保護スキーム
高耐久性: 100兆個の読み取り / 書き込み
高度な信頼性の高い強誘電体工程