Infineon, FF150R12KE3GB2HOSA1 62 mmモジュール IGBTモジュール, タイプNチャンネル 1200 V, 225 A, 7-Pin クランプ
- RS品番:
- 124-8783
- メーカー型番:
- FF150R12KE3GB2HOSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
1 箱(1箱10個入り) 小計：*
￥140,786.00
(税抜)
￥154,864.60
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2028年2月09日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | ￥14,078.60 | ￥140,786 |
| 20 - 90 | ￥13,871.50 | ￥138,715 |
| 100 - 140 | ￥13,664.50 | ￥136,645 |
| 150 - 190 | ￥13,457.40 | ￥134,574 |
| 200 + | ￥13,250.40 | ￥132,504 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 124-8783
- メーカー型番:
- FF150R12KE3GB2HOSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| 最大連続コレクタ電流 Ic | 225A | |
| プロダクトタイプ | IGBTモジュール | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 1200V | |
| 最大許容損失Pd | 780W | |
| パッケージ型式 | 62 mmモジュール | |
| 取付タイプ | クランプ | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| ピン数 | 7 | |
| スイッチングスピード | 1MHz | |
| 最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT | 2V | |
| 最大ゲートエミッタ電圧VGEO | 20 V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 125°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 106.4mm | |
| 幅 | 61.4 mm | |
| 高さ | 29mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
最大連続コレクタ電流 Ic 225A | ||
プロダクトタイプ IGBTモジュール | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 1200V | ||
最大許容損失Pd 780W | ||
パッケージ型式 62 mmモジュール | ||
取付タイプ クランプ | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
ピン数 7 | ||
スイッチングスピード 1MHz | ||
最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT 2V | ||
最大ゲートエミッタ電圧VGEO 20 V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 125°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 106.4mm | ||
幅 61.4 mm | ||
高さ 29mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Infineon IGBTモジュール
Infineon シリーズの IGBTモジュールは、最高60 Khzの切り替えに対する低スイッチング損失を実現します。
このIGBTの用途は、 様々な電源モジュールに跨っており、1200Vのコレクタ / エミッタ電圧を備えたEconoPACK™パッケージ、 最高1600 / 1700VのNTC(負温度特性)を備えたPrimePACK IGBTハーフブリッジチョッパモジュールなどで使われます。PrimePACK IGBTは、産業、商業、建設、農業用車両で使用されています。N チャンネル TRENCHSTOP TM / フィールドストップIGBTモジュールは、インバータ、UPS、産業ドライブなどのハードスイッチングとソフトスイッチングの用途に適しています。
パッケージスタイルの内容: 62 mmモジュール、EasyPACK、EconoPACK TM 2/ EconoPACK TM 3/ EconoPACK TM 4.
IGBTディスクリート&モジュール、Infineon
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。