インフィニオン Econo2 IGBTモジュール, Nチャンネル 1200 V, 35 A, 23-Pin
- RS品番:
- 124-8795
- メーカー型番:
- FP35R12KT4B11BOSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | ￥13,583.60 | ￥135,836 |
| 50 - 90 | ￥13,383.80 | ￥133,838 |
| 100 - 240 | ￥13,184.20 | ￥131,842 |
| 250 - 490 | ￥12,984.30 | ￥129,843 |
| 500 + | ￥12,784.50 | ￥127,845 |
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- RS品番:
- 124-8795
- メーカー型番:
- FP35R12KT4B11BOSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| 最大連続コレクタ電流 | 35 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1200 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| 最大パワー消費 | 210 W | |
| パッケージタイプ | Econo2 | |
| 回路構成 | 3相ブリッジ | |
| 実装タイプ | 基板実装 | |
| チャンネルタイプ | N | |
| ピン数 | 23 | |
| スイッチングスピード | 1MHz | |
| トランジスタ構成 | 3相 | |
| 寸法 | 107.5 x 45 x 17mm | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
最大連続コレクタ電流 35 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 1200 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
最大パワー消費 210 W | ||
パッケージタイプ Econo2 | ||
回路構成 3相ブリッジ | ||
実装タイプ 基板実装 | ||
チャンネルタイプ N | ||
ピン数 23 | ||
スイッチングスピード 1MHz | ||
トランジスタ構成 3相 | ||
寸法 107.5 x 45 x 17mm | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
- COO（原産国）:
- CN
Infineon IGBTモジュール
Infineon シリーズの IGBTモジュールは、最高60 Khzの切り替えに対する低スイッチング損失を実現します。
このIGBTの用途は、 様々な電源モジュールに跨っており、1200Vのコレクタ / エミッタ電圧を備えたEconoPACK™パッケージ、 最高1600 / 1700VのNTC(負温度特性)を備えたPrimePACK IGBTハーフブリッジチョッパモジュールなどで使われます。PrimePACK IGBTは、産業、商業、建設、農業用車両で使用されています。N チャンネル TRENCHSTOP TM / フィールドストップIGBTモジュールは、インバータ、UPS、産業ドライブなどのハードスイッチングとソフトスイッチングの用途に適しています。
このIGBTの用途は、 様々な電源モジュールに跨っており、1200Vのコレクタ / エミッタ電圧を備えたEconoPACK™パッケージ、 最高1600 / 1700VのNTC(負温度特性)を備えたPrimePACK IGBTハーフブリッジチョッパモジュールなどで使われます。PrimePACK IGBTは、産業、商業、建設、農業用車両で使用されています。N チャンネル TRENCHSTOP TM / フィールドストップIGBTモジュールは、インバータ、UPS、産業ドライブなどのハードスイッチングとソフトスイッチングの用途に適しています。
パッケージスタイルの内容: 62 mmモジュール、EasyPACK、EconoPACK TM 2/ EconoPACK TM 3/ EconoPACK TM 4.
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
IGBTディスクリート&モジュール、Infineon
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。