Vishay IGBT, SI7121ADN-T1-GE3

Vishayの表面実装PチャンネルPowerPAK-1212-8 MOSFETは、ドレイン-ソース間電圧が30V、最大ゲート-ソース間電圧が25Vの新時代の製品です。ゲート・ソース間電圧が10Vのときのドレイン・ソース間抵抗は15mΩである。最大消費電力は27.8W、連続ドレイン電流は18Aである。最小駆動電圧は4.5V、最大駆動電圧は10Vである。この製品は、スイッチング損失と導通損失を低減するために最適化されています。このMOSFETの助けを借りて、優れた性能と効率を低コストで達成することができる。MOSFETは、性能や機能を損なうことなく、優れた効率と長い生産寿命を提供します。

• ハロゲンフリー
• 小型で低熱抵抗のパワーパックパッケージ
• 最大消費電力は27.8W
• 動作温度範囲 -50°C～150°C
• トレンチFETパワーMOSFET

• モバイルコンピューティング
• アダプター・スイッチ
• 負荷スイッチ - バッテリー管理
• ノートパソコン
• 電源管理

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN61340-5-1:2007
• Rgテスト済み
• UISテスト済み

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。