Vishay IGBT, SUM70060E-GE3

Vishay MOSFETはNチャンネル、TO-263-3パッケージで、ドレイン-ソース間電圧が100V、最大ゲート-ソース間電圧が20Vの新時代の製品です。ゲート・ソース間電圧が10Vのときのドレイン・ソース間抵抗は5.6mΩである。MOSFETの最大消費電力は375Wである。この製品は、スイッチング損失と導通損失を低減するために最適化されています。MOSFETは、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率と長く生産的な寿命を提供します。

• ハロゲン・鉛フリー部品
• 動作温度範囲 -55°C～175°C
• トレンチFETパワーMOSFET

• AC/DCスイッチモード電源
• 電池管理
• DC/ACインバーター
• DC/DCコンバータ
• 照明
• モーター駆動スイッチ
• 同期整流器
• 無停電電源

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。