Vishay, SUM70060E-GE3 TO-263 IGBT, タイプNチャンネル, 3-Pin 表面

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梱包形態
RS品番:
180-8025
メーカー型番:
SUM70060E-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

IGBT

最大許容損失Pd

375W

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

チャンネルタイプ

タイプN

ピン数

3

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

10.414 mm

長さ

15.875mm

規格 / 承認

RoHS

シリーズ

ThunderFET

エネルギー定格

125mJ

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

ビシェイMOSFET


Vishay MOSFETはNチャンネル、TO-263-3パッケージで、ドレイン-ソース間電圧が100V、最大ゲート-ソース間電圧が20Vの新時代の製品です。ゲート・ソース間電圧が10Vのときのドレイン・ソース間抵抗は5.6mΩである。MOSFETの最大消費電力は375Wである。この製品は、スイッチング損失と導通損失を低減するために最適化されています。MOSFETは、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率と長く生産的な寿命を提供します。

特長


• ハロゲン・鉛フリー部品

• 動作温度範囲 -55°C~175°C

• トレンチFETパワーMOSFET

用途


• AC/DCスイッチモード電源

• 電池管理

• DC/ACインバーター

• DC/DCコンバータ

• 照明

• モーター駆動スイッチ

• 同期整流器

• 無停電電源

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