onsemi, NXH100B120H3Q0PTG Q0BOOST IGBTモジュール, タイプNチャンネル 1200 V, 50 A, 22-Pin 表面

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梱包形態
RS品番:
195-8769
メーカー型番:
NXH100B120H3Q0PTG
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

最大連続コレクタ電流 Ic

50A

プロダクトタイプ

IGBTモジュール

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

1200V

最大許容損失Pd

186W

トランジスタ数

2

パッケージ型式

Q0BOOST

取付タイプ

表面

チャンネルタイプ

タイプN

ピン数

22

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

20 V

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

2.3V

動作温度 Min

150°C

動作温度 Max

-40°C

高さ

11.9mm

長さ

66.2mm

規格 / 承認

No

シリーズ

NXH100B120H3Q0

自動車規格

なし

NXH100B120H3Q0はデュアルブースト段を含む電源モジュールで、2つの50A / 1200 V IGBT、2つの20A / 1200 V SiCダイオード、IGBT用の2つの25 A / 1600 V逆並列ダイオードで構成されています。突入電流制限用として、さらに2つの25 A / 1600 Vバイパス整流器が含まれています。また、オンボードサーミスタが含まれています。

IGBTの仕様: VCE (SAT) = 1.77 V、ESW = 2180 uJ

高速IGBTと低VCE (SAT)で高効率

25 A / 1600 Vバイパス及び逆並列ダイオード

低VFバイパスダイオードはバイパスモードで優れた効率

SiC整流器の仕様: VF = 1.44 V

高速スイッチング用のSiCダイオード

はんだピン及び押し込み式ピンオプションを用意しています

フレキシブルな取り付け方法

用途

MPPT ブーストステージ

バッテリー充電器ブーストステージ

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